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Des physiciens russes font pousser des nanofils à la verticale sur du silicium grâce à une technique simple

Une couche de silicium poreux a permis d’orienter des nanofils de nitrure de gallium, qui émettent alors plus de trois fois plus de lumière, une avancée utile pour les micro-LED et les nanolasers.

Des physiciens russes font pousser des nanofils à la verticale sur du silicium grâce à une technique simple
Image d’illustration · Photo : Laura Ockel / Unsplash

Des chercheurs de l’Université d’État de Saint-Pétersbourg et d’institutions partenaires affirment avoir montré pour la première fois que l’orientation de nanofils de nitrure de gallium sur une plaquette de silicium peut être contrôlée grâce à une couche poreuse. Les travaux ont été publiés dans la revue Materials Science in Semiconductor Processing.

Sans intervention, ces nanofils poussent avec une inclinaison d’environ 55 degrés par rapport à la surface du silicium, et les solutions utilisées jusqu’ici étaient complexes, coûteuses et en plusieurs étapes. L’équipe a eu recours à la gravure électrochimique pour créer une fine couche de silicium dotée de nanopores ordonnés, qui servent de gabarits et orientent la croissance à la verticale, sans équipement complexe.

Les nanofils verticaux ont présenté une intensité de photoluminescence plus de trois fois supérieure à celle des nanofils inclinés et désordonnés, ainsi que des raies d’émission plus étroites, signe d’une meilleure qualité cristalline et de moins de défauts. Selon les auteurs, la méthode pourrait améliorer les micro-LED, les nanolasers et d’autres dispositifs émetteurs de lumière et, à terme, permettre de construire des dispositifs hybrides directement sur des plaquettes de silicium standard.

Source originaleUniversidade Estatal de São Petersburgo — lire l’article complet

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