Investigadores da Universidade Estatal de São Petersburgo e de instituições parceiras afirmam ter demonstrado, pela primeira vez, que é possível controlar a orientação de nanofios de nitreto de gálio sobre uma bolacha de silício através de uma camada porosa. O trabalho foi publicado na revista Materials Science in Semiconductor Processing.
Sem intervenção, estes nanofios crescem com uma inclinação de cerca de 55 graus em relação à superfície do silício, e as soluções usadas até agora eram complexas, caras e com várias etapas. A equipa recorreu à gravação eletroquímica para criar uma fina camada de silício com nanoporos ordenados, que funcionam como moldes e orientam o crescimento na vertical, sem necessidade de equipamento complexo.
Os nanofios verticais apresentaram uma intensidade de fotoluminescência mais de três vezes superior à dos nanofios inclinados e desordenados, além de linhas de emissão mais estreitas, sinal de maior qualidade cristalina e menos defeitos. Segundo os autores, o método poderá melhorar micro-LED, nanolasers e outros dispositivos emissores de luz e, a prazo, permitir construir dispositivos híbridos diretamente sobre bolachas de silício padrão.
