Investigadores da Universidade Nazarbayev, no Cazaquistão, liderados pelo professor de física Zhandos Utegulov e com parceiros da Noruega, Finlândia, África do Sul, Hong Kong e República Checa, publicaram na revista Nature Communications um estudo sobre a resistência à radiação do óxido de gálio, um semicondutor.
A equipa comparou duas formas estruturais do material, uma rígida e outra mais flexível, bombardeando ambas com iões de alta energia. A forma rígida ficou com marcas microscópicas permanentes, os chamados «rastos de iões», enquanto a flexível não apresentou rastos duradouros, o que os investigadores atribuem à sua capacidade de recuperar após o impacto. O resultado surpreendeu, porque esta forma conduz muito mal o calor, o que normalmente é visto como uma fraqueza.
O trabalho usou medições térmicas com laser, microscopia eletrónica e simulações em computador. As aplicações ainda não foram testadas em dispositivos, mas os autores apontam para eletrónica de satélites mais resistente à radiação, componentes mais duradouros para a energia nuclear e dispositivos de alta tensão.
